IGBT是通过门极电容的充放电来控制开通和关断，门极电容的充放电通过门极驱动电阻来控制，门极驱动电阻的大小影响lGBT的开关时间、开关损耗、反向偏压安全工作区、短路安全工作区等，还与电路的EMI、du/dt、di/dt等有着密切的关系，门极驱动电阻的选择是驱动电路设计的重要部分。附表是驱动电阻的变化与驱动电路参数的关系。
       从附表可以看出，门极驱动电阻越大，开关损耗和驱动脉冲上升下降时间就越少，相反，减少驱动电阻，开关损耗和脉冲上升下降时间就会增加。门极驱动电流的峰值可以表示为。

其中：IGM 是门极驱动电路输出的峰值电流；

  VG(on) 正偏压电源电压；

  VG(off) 负偏压电源电压；

  RG 驱动电路门极电阻；

  RG(int) 模块内部的驱动电阻。

总之，IGBT门极驱动电阻可以参考以下要求：

  (1)额定电流大的器件门极驱动电阻较小，额定电流小的器件，门极驱动电阻比较大。

  (2)驱动电阻的最优选值可以取IGBT手册标注的电阻值的两倍。由于手册标注的电阻往往是最小的电阻，所以可以考虑选取两倍的电阻作为参考电阻，这样可以保证IGBT发生特殊情况时可靠关断。

  开通电阻RG(on)往往比关断电阻RG(off)小，一般开通电阻可以取到关断电阻的1/2。