由于IGBT模块在IGBT变换器工作过程中会产生功率损耗，即内损耗，内损耗会引起发热和温升。IGBT温度与器件的内部损耗、芯片到环境的传热结构、材料和器件的冷却方式、环境温度有关。当产热和散热相等时，器件达到稳定的温升，处于平衡状态，即稳态。器件的芯片温度，无论是稳态还是瞬态，都不允许超过*器件的最高允许工作温度，即IGBT结温，否则会引起器件的电或热不稳定，导致器件失效。

IGBT模块发热和效率低的解决方案

      1.降低栅电阻可以加快开关器件的开关速度，降低开关损耗从而降低温度，但不能太小。需要具体调试。

      2.添加适当的阻容吸收电路。

      3.检查硅胶涂层，即散热器、风扇等。