IGBT寿命相关测试可以分成两部分，一部分是对于芯片本身寿命的考核，另一部分是对机械连接的考核。其中对芯片本身寿命的考核有如下内容：

      HTRB，高温高压反偏测试，测试IGBT芯片的耐高压的可靠性。

      HTGB，高温门极应力测试，测试IGBT芯片门极的耐压可靠性。

      H3TRB，高温高湿反偏测试，测试IGBT芯片在高湿环境的可靠性。

      HV-H3TRB，高压高温高湿反偏测试，这是H3TRB的更严苛版本，因为高湿的本质是对芯片钝化层的一种腐蚀，而高压会加速这种腐蚀。

      上述几条主要是评估芯片的耐久性，在这些测试条件下，只要时间足够长，芯片肯定会坏的。

      对于IGBT模块来说，模块外部是外壳和金属端子，内部不仅有芯片，还有绑定线，还有绝缘陶瓷衬底，还有焊接层，我们统称机械连接。那如何评估这些机械连接的耐久性呢？这就是功率循环，热循环，热冲击，以及振动测试。

        由于芯片的可靠性以及抗振动能力没有一个业界公认的计算方式去把加速实验结果和实际的使用寿命联系起来，而功率、热循环目前是有比较准确的方法去折算实际使用寿命的，并且对于目前的大部分常见的封装工艺来说，功率、热循环还是实际使用寿命中的短板，所以有必要研究功率循环，以计算出更准确的实际寿命能力。